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SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 1 – MARCH 98
FEATURES
* 450 Volt V DS
* R DS(on) =150 ?
ZVP0545G
D
S
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-450
-75
-400
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
mA
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
BV DSS
-450
V
I D =-1mA, V GS =0V
Voltage
Gate-Source Threshold
V GS(th)
-1.5
-4.5
V
I D =-1mA, V DS = V GS
Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
I GSS
I DSS
20
-20
-2
nA
μ A
mA
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-450 V, V GS =0
V DS =-360 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
I D(on)
R DS(on)
-100
150
mA
?
V DS =-25 V, V GS =-10V
V GS =-10V,I D =-50mA
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
g fs
40
mS
V DS =-25V,I D =-50mA
(1)(2)
Input Capacitance (2)
C iss
120
pF
Common Source Output
C oss
20
pF
V DS =-25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer
C rss
5
pF
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
t d(on)
10
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
15
15
20
ns
ns
ns
V DD ≈ -25V, I D =-50mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
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